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镁光2017产品规划:DR6和64层3D NAND Flash

  在Micron 2017年度的分析师会议上,这家公司给出一些方向与目标。 没有任何新产品公布,但2017年Micron这家公司的产品规划可能有一个大致方向,同时也包含下一代GPU用记忆体的规划。

  此外,Micron也在QLC NAND Flash部分有所投入,但他们没有对此揭露太多资讯。

  Micron预期会在2017年开始使用16nm(1Xnm)生产DR5记忆体,但确认时间不详,另外1Ynm与1Znm的制程也在进行中,其中1Ynm会率先导入,时间点在2017下半年。 SK Hynix在HBM记忆体的布局,Micron似乎没有任何回应,但这家公司在DR5X与DR6有着相当深的投入。

  3D XPoint部分也相当低调,没有任何新资讯或是产品揭露。

2017-10-13 08:25

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